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000174317 001__ 174317 000174317 005__ 20170620224512.0 000174317 0247_ $$2ISSN$$a1071-1023 000174317 0247_ $$2ISSN$$a0734-211x 000174317 0247_ $$2HSB$$aama8276 000174317 037__ $$aRWTH-CONV-051561 000174317 041__ $$aEnglish 000174317 1001_ $$0P:(DE-82)070040$$aMaile, B. E.$$b0$$eAuthor 000174317 245__ $$aNanometer lithography for III-V semiconductor wires using chloromethylated poly-* methylstrene resist$$honline, print 000174317 260__ $$aNew York, NY$$bAmerican Institute of Physics$$c1989 000174317 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)16$$2PUB:(DE-HGF)$$aJournal Article$$bjournal$$mjournal 000174317 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Journal article 000174317 3367_ $$00$$2EndNote$$aJournal Article 000174317 3367_ $$2BibTeX$$aARTICLE 000174317 3367_ $$2ORCID$$aJOURNAL_ARTICLE 000174317 3367_ $$2DRIVER$$aarticle 000174317 7001_ $$0P:(DE-82)005309$$aForchel, A.$$b1$$eAuthor 000174317 7001_ $$0P:(DE-82)114214$$aGerman, R.$$b2$$eAuthor 000174317 7001_ $$0P:(DE-82)114215$$aMenschig, A.$$b3$$eAuthor 000174317 7001_ $$0P:(DE-82)114216$$aMeier, H. P.$$b4$$eAuthor 000174317 7001_ $$0P:(DE-82)005310$$aGrützmacher, D.$$b5$$eAuthor 000174317 773__ $$0PERI:(DE-600)1475429-0$$p2308-2311$$tJournal of vacuum science & technology : JVST / B$$v6$$x0734-211x 000174317 909CO $$ooai:publications.rwth-aachen.de:174317$$pVDB 000174317 9151_ $$0StatID:(DE-HGF)0031$$2StatID$$aPeer reviewed article 000174317 9201_ $$0I:(DE-82)ama216_20140620$$kama216$$lLehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie$$x0 000174317 9201_ $$0I:(DE-82)616210_20140620$$k616210$$lLehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik$$x1 000174317 961__ $$c2014-08-12$$x2011-03-24 000174317 970__ $$aama8276 000174317 980__ $$ajournal 000174317 980__ $$aI:(DE-82)ama216_20140620 000174317 980__ $$aI:(DE-82)616210_20140620 000174317 980__ $$aVDB 000174317 980__ $$aUNRESTRICTED 000174317 980__ $$aConvertedRecord