Gast ::
000174320 001__ 174320 000174320 005__ 20240922203813.0 000174320 0247_ $$2ISSN$$a0022-0248 000174320 0247_ $$2INSPEC$$a3527807 000174320 0247_ $$2DOI$$a10.1016/0022-0248(89)90660-X 000174320 0247_ $$2HSB$$aama8281 000174320 0247_ $$2SCOPUS$$aSCOPUS:2-s2.0-0024715918 000174320 0247_ $$2WOS$$aWOS:A1989AM75600031 000174320 037__ $$aRWTH-CONV-051564 000174320 041__ $$aEnglish 000174320 1001_ $$0P:(DE-82)114219$$aWestphalen, R.$$b0$$eAuthor 000174320 245__ $$aEpilayers with extremely low dislocation densities grown by isoelectronic doping of hydride VPE grown InP$$honline, print 000174320 260__ $$aAmsterdam$$bNorth-Holland Publ. Co.$$c1989 000174320 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)16$$2PUB:(DE-HGF)$$aJournal Article$$bjournal$$mjournal 000174320 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Journal article 000174320 3367_ $$00$$2EndNote$$aJournal Article 000174320 3367_ $$2BibTeX$$aARTICLE 000174320 3367_ $$2ORCID$$aJOURNAL_ARTICLE 000174320 3367_ $$2DRIVER$$aarticle 000174320 591__ $$aGermany 000174320 7001_ $$0P:(DE-82)038020$$aJürgensen, H.$$b1$$eAuthor 000174320 7001_ $$0P:(DE-82)108534$$aBalk, P.$$b2$$eAuthor 000174320 773__ $$0PERI:(DE-600)1466514-1$$a10.1016/0022-0248(89)90660-X$$n4$$p982-984$$tJournal of crystal growth$$v96$$x0022-0248 000174320 909CO $$ooai:publications.rwth-aachen.de:174320$$pVDB 000174320 9151_ $$0StatID:(DE-HGF)0031$$2StatID$$aPeer reviewed article 000174320 9201_ $$0I:(DE-82)ama216_20140620$$kama216$$lLehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie$$x0 000174320 9201_ $$0I:(DE-82)616210_20140620$$k616210$$lLehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik$$x1 000174320 961__ $$c2014-08-12$$x2011-03-24$$z2024-09-13 000174320 970__ $$aama8281 000174320 980__ $$ajournal 000174320 980__ $$aI:(DE-82)ama216_20140620 000174320 980__ $$aI:(DE-82)616210_20140620 000174320 980__ $$aVDB 000174320 980__ $$aUNRESTRICTED 000174320 980__ $$aConvertedRecord