h1

000174321 001__ 174321
000174321 005__ 20240722134746.0
000174321 0247_ $$2ISSN$$a0013-4651
000174321 0247_ $$2ISSN$$a1945-7111
000174321 0247_ $$2WOS$$aWOS:A1989AP84900046
000174321 0247_ $$2DOI$$a10.1149/1.2097549
000174321 0247_ $$2HSB$$aama8284
000174321 0247_ $$2SCOPUS$$aSCOPUS:2-s2.0-0024731774
000174321 037__ $$aRWTH-CONV-051565
000174321 041__ $$aEnglish
000174321 1001_ $$0P:(DE-82)108515$$aBeneking, H.$$b0$$eAuthor$$urwth
000174321 245__ $$aIII-V technology: The key for advanced devices$$honline, print
000174321 260__ $$aPennington, NJ$$bElectrochemical Society$$c1989
000174321 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)16$$2PUB:(DE-HGF)$$aJournal Article$$bjournal$$mjournal
000174321 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Journal article
000174321 3367_ $$00$$2EndNote$$aJournal Article
000174321 3367_ $$2BibTeX$$aARTICLE
000174321 3367_ $$2ORCID$$aJOURNAL_ARTICLE
000174321 3367_ $$2DRIVER$$aarticle
000174321 591__ $$aGermany
000174321 773__ $$0PERI:(DE-600)2002179-3$$a10.1149/1.2097549$$p2680-2686$$tJournal of the Electrochemical Society : JES$$v136$$x0013-4651
000174321 909CO $$ooai:publications.rwth-aachen.de:174321$$pVDB
000174321 9151_ $$0StatID:(DE-HGF)0031$$2StatID$$aPeer reviewed article
000174321 9201_ $$0I:(DE-82)ama216_20140620$$kama216$$lLehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie$$x0
000174321 9201_ $$0I:(DE-82)616210_20140620$$k616210$$lLehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik$$x1
000174321 961__ $$c2014-08-12$$x2011-03-24$$z2024-07-22
000174321 970__ $$aama8284
000174321 980__ $$ajournal
000174321 980__ $$aI:(DE-82)ama216_20140620
000174321 980__ $$aI:(DE-82)616210_20140620
000174321 980__ $$aVDB
000174321 980__ $$aUNRESTRICTED
000174321 980__ $$aConvertedRecord