h1

000680742 001__ 680742
000680742 005__ 20230408005018.0
000680742 0247_ $$2URN$$aurn:nbn:de:hbz:82-rwth-2016-119506
000680742 0247_ $$2datacite_doi$$a10.18154/RWTH-2016-11950
000680742 0247_ $$2HBZ$$aHT019204733
000680742 0247_ $$2Laufende Nummer$$a35592
000680742 037__ $$aRWTH-2016-11950
000680742 041__ $$aEnglish
000680742 082__ $$a530
000680742 1001_ $$0P:(DE-82)687009$$aJunker, Hubertus Hartmut Robert$$b0
000680742 245__ $$aCharge transport measurements at GaAs-nanowires and development of a low-temperature four-tip scanning tunneling microscope$$cvorgelegt von Diplom-Physiker Hubertus Hartmut Robert Junker$$honline
000680742 246_3 $$aLadungstransportmessung an GaAs-Nanodrähten und Entwicklung eines Tieftemperatur-Vierspitzen-Rastertunnelmikroskops$$yGerman
000680742 260__ $$aAachen$$c2016
000680742 260__ $$c2017
000680742 300__ $$a1 Online-Ressource (XI, 153, XXIII Seiten) : Illustrationen, Diagramme
000680742 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Dissertation
000680742 3367_ $$2ORCID$$aDISSERTATION
000680742 3367_ $$2BibTeX$$aPHDTHESIS
000680742 3367_ $$02$$2EndNote$$aThesis
000680742 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)11$$2PUB:(DE-HGF)$$aDissertation / PhD Thesis$$bphd$$mphd
000680742 3367_ $$2DRIVER$$adoctoralThesis
000680742 500__ $$aVeröffentlicht auf dem Publikationsserver der RWTH Aachen University 2017
000680742 502__ $$aDissertation, RWTH Aachen University, 2016$$bDissertation$$cRWTH Aachen University$$d2016$$gFak01$$o2016-11-29
000680742 5203_ $$aEs wurden Ladungstransportmessungen an freistehenden GaAs-Nanodrähten mit einem Raumtemperatur-Mehrspitzen-Rastertunnelmikroskop durchgeführt. Vierpunktwiderstandsmessungen an einzelnen Nanodrähten wurden, mit hoher räumlicher Auflösung durchgeführt. Nacheinander wurden drei Proben untersucht, die mit unterschiedlichen Temperaturverläufen hergestellt wurden. Detaillierte Widerstandsprofile entlang mehrerer Nanodrähte von jeder Probe wurden erstellt. Drei unterschiedliche Regionen wurden dabei in den Widerstandsprofilen identifiziert: Eine Region am Sockel, die aufgrund von fehlendem Dotierstoffeinbau einen hohen Widerstand hat, eine Übergangsregion in der Mitte mit noch höherem Widerstand und eine Region mit niedrigem Widerstand an der Spitze der Nanodrähte, in der der Dotierstoff wie vorgesehen in den Draht eingebaut wurde.Die Berechnung der Verarmungszonengröße entlang der Nanodrähte hat ergeben, dass die Drähte in den Zonen mit hohem Widerstand vollständig verarmt sind. Nur in der Region mit geringem Widerstand floss der Strom durch den Leitungskanal im Zentrum der Drähte, in den anderen Bereichen floss der Strom durch die Oberflächenzustände. In der Übergangsregion wiesen die Vierpunktmessungen eine nicht lineare IV-Kennlinie auf. Bei hohen Spannungen konnte der Strom von der Oberfläche in den besser leitenden Kern fließen, bei niedrigen Spannungen verbleibt als stromführender Kanal die Oberfläche. Während der Messung der Widerstandsprofile konnten sowohl in der Übergangsregion als auch auf dem Substrat um die Sockel der Nanodrähte elektronenstrahlinduzierte Ströme beobachtet werden.Ein neues Tieftemperatur-Vierspitzen Rastertunnelmikroskop wurde realisiert, um damit Ladungstransportmessungen durchzuführen. Die Bewegungen der vier Spitzen werden dabei mit einem Rasterelektronenmikroskop überwacht. Bilder, die mit diesem SEM von einer Eichprobe gemacht wurden, konnten genutzt werden, um die Abschirmung gegen äußere Vibrationen zu optimieren.Ein Nanoantrieb (KoalaDrive), wurde benutzt, um die STM Spitzen an die Proben anzunähern. Der KoalaDrive funktioniert bei tiefen Temperaturen (5 K) und im Ultrahochvakuum mit hoher Präzision funktioniert. Mit diesem STM wurden sowohl atomare Stufen auf Graphit als auch die 525 Rekonstruktion von Pt(100) aufgelöst.Einzelne freistehende GaAs-Nanodrähte wurden mit dem Tieftemperatur-Vierspitzen-STM mit einzelnen Spitze kontaktiert. Die elektrische Aufladung eines Spitzenhalters führte zu Verzerrungen in den SEM Aufnahmen und verhinderte so Messungen mit mehreren Spitzen.$$lger
000680742 520__ $$aIn order to perform charge transport measurements on freestanding as-grown GaAs nanowires, a room-temperature multi-tip scanning tunneling microscope was utilized as a nanoprober. Four-point resistance measurements along individual nanowires were performed with high spatial resolution. Subsequently, three different samples, grown with different temperature patterns, were investigated. Detailed resistance profiles along several nanowires on each sample were recorded. Three different regions were identified in the resistance profiles: A high resistance region at the nanowire bases (resulting from a suppressed dopant incorporation), a transition region in the middle with higher resistance and a low resistance region at the nanowire tops, with a desired amount of dopant incorporation.A calculation of the size of the depleted zone revealed that nanowires were completely depleted in the high resistance segments. Only in the low resistance region, the current could ow through the conduction channel in the nanowire core. In the high resistance region, the current was owing through surface states. In the transition region, the measured four-point IVs showed a non-linear characteristic. At high biases, the current could transfer from the surface to the better conducting core, while for low biases, the current had to ow via the surface. During the resistance profling, electron beam induced currents were present in the transition region as well as around the nanowire base on the substrate. A new customized low-temperature ultra-high vacuum four-tip scanning tunneling microscope capable of charge and magneto transport measurements has been realized to carry out charge transport measurements on semiconductor nanowires at liquid helium temperature. In order to navigate the four STM tips to desired positions, an SEM was used. SEM images of a test sample were used to optimize the vibration isolation of the experiment. A new nanopositioner (KoalaDrive) was developed to approach the tips to the sample. It could be shown that the KoalaDrive is capable of performing at low temperature (5 K), in ultra-high vacuum with high precision. In images taken with this STM, atomic steps on graphite as well as the 525 reconstruction of the Pt(100) surface could be resolved. The low-temperature multi-tip scanning tunneling microscope was used to contact single as-grown GaAs nanowires with one tip. Charging of a part of the tip holders prevented SEM images and conduction measurements with more tips.$$leng
000680742 591__ $$aGermany
000680742 653_7 $$acharge transport
000680742 653_7 $$afour-tip STM
000680742 653_7 $$aGaAs nanowires
000680742 653_7 $$alow temperature
000680742 7001_ $$0P:(DE-82)006430$$aVoigtländer, Bert$$b1$$eThesis advisor
000680742 7001_ $$0P:(DE-82)IDM00029$$aMorgenstern, Markus$$b2$$eThesis advisor$$urwth
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742.pdf$$yOpenAccess
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742_source.zip$$yRestricted
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742.gif?subformat=icon$$xicon$$yOpenAccess
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742.jpg?subformat=icon-180$$xicon-180$$yOpenAccess
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742.jpg?subformat=icon-700$$xicon-700$$yOpenAccess
000680742 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/680742/files/680742.pdf?subformat=pdfa$$xpdfa$$yOpenAccess
000680742 909CO $$ooai:publications.rwth-aachen.de:680742$$pdnbdelivery$$pVDB$$pdriver$$purn$$popen_access$$popenaire
000680742 915__ $$0StatID:(DE-HGF)0510$$2StatID$$aOpenAccess
000680742 9141_ $$y2016
000680742 9101_ $$0I:(DE-588b)36225-6$$6P:(DE-82)IDM00029$$aRWTH Aachen$$b2$$kRWTH
000680742 9201_ $$0I:(DE-82)132310_20140620$$k132310$$lLehrstuhl für Experimentalphysik (Festkörperphysik) und II. Physikalisches Institut$$x0
000680742 9201_ $$0I:(DE-82)130000_20140620$$k130000$$lFachgruppe Physik$$x1
000680742 961__ $$c2017-03-20T12:23:42.207600$$x2016-12-21T13:52:20.819217$$z2017-03-20T12:23:42.207600
000680742 9801_ $$aFullTexts
000680742 980__ $$aphd
000680742 980__ $$aVDB
000680742 980__ $$aI:(DE-82)132310_20140620
000680742 980__ $$aI:(DE-82)130000_20140620
000680742 980__ $$aUNRESTRICTED