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001     766663
005     20251027123158.0
024 7 _ |2 HBZ
|a HT020205668
024 7 _ |2 Laufende Nummer
|a 38608
024 7 _ |2 datacite_doi
|a 10.18154/RWTH-2019-08240
037 _ _ |a RWTH-2019-08240
041 _ _ |a English
082 _ _ |a 621.3
100 1 _ |0 P:(DE-588)119547718X
|a Sharif Azadeh, Saeed
|b 0
|e Author
|u rwth
245 _ _ |a Integrated silicon electro-optical modulators for data/telecom applications
|c vorgelegt von Saeed Sharif Azadeh
|h online
260 _ _ |a Aachen
|c 2019
300 _ _ |a 1 Online-Ressource (VIII, 125 Seiten) : Illustrationen
336 7 _ |0 2
|2 EndNote
|a Thesis
336 7 _ |0 PUB:(DE-HGF)11
|2 PUB:(DE-HGF)
|a Dissertation / PhD Thesis
|b phd
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336 7 _ |2 BibTeX
|a PHDTHESIS
336 7 _ |2 DRIVER
|a doctoralThesis
336 7 _ |2 DataCite
|a Output Types/Dissertation
336 7 _ |2 ORCID
|a DISSERTATION
500 _ _ |a Veröffentlicht auf dem Publikationsserver der RWTH Aachen University
502 _ _ |a Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2019
|b Dissertation
|c Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen
|d 2019
|g Fak06
|o 2019-09-04
520 3 _ |a Die zunehmende Nutzung von Cloud Computing und Streaming stellt Verbindungssysteme in Rechenzentren und Hochleistungsrechnersystemen vor erhebliche Herausforderungen, vor allem in Bezug auf Datenraten, Stromverbrauch, Größe und Preis. Die Silizium-Photonik (SiP) -Technologie, die durch die Nutzung der vorhandenen CMOS-Infrastruktur, die Massenproduktion integrierter photonischer Bauelemente zu wettbewerbsfähigen Kosten ermöglicht, und hohe Integration optischer Bauelemente wie Modulatoren im Wafer-Maßstab ermöglicht, dürfte besonders wettbewerbsfähig darin sein den wachsenden Bedarf an Hochgeschwindigkeitsverbindungen mit erweiterter Reichweite für Rechenzentren zu decken. In den letzten zehn Jahren wurden enorme Anstrengungen unternommen, die Geschwindigkeit zu maximieren und den Stromverbrauch von SiP-Modulatoren zu senken. In dieser Arbeit werden die folgenden der Herausforderungen von SiP-Modulatoren behandelt: Die vollständige Unterdrückung des Übersprechens und die Bandbreitenverbesserung in Wanderwellenmodulatoren, sowie die Verringerung der Fertigungsempfindlichkeit von Siliziumringresonatormodulatoren. Mäanderförmige Modulatoren mit konzentrierten Elementen und verbessertem Stromverbrauch bei gleichzeitig hoher optischer Bandbreite werden vorgestellt und eine neuartige vertikale Phasenschieberstruktur basierend auf einem epitaktisch gewachsenen Siliziumschichtstapel eingeführt, entworfen, hergestellt und charakterisiert. Der vorgeschlagene vertikale Phasenschieber weist einen der höchsten berichteten Modulationswirkungsgrade unter den Modulatoren auf der Basis von Siliziumverarmung auf. Schließlich untersuchen wir alternative Modulationsmechanismen, die in der SOI-Plattform durch Integration von neuartigen Materialien realisiert werden können. Insbesondere untersuchen wir den elektrooptischen (Pockels) Effekt in Nitrid-beschichteten, gestreckten Silizium-Mach-Zehnder-Interferometern, den Franz-Keldysh-Effekt in Germanium-Zinn, das auf einem virtuellen Germaniumsubstrat für Anwendungen im mittleren Infrarotbereich gewachsen wurde, sowie den Moss-Burstein-Effekt in Graphen-Silizium-Schlitzwellenleiter-Absorptionsmodulatoren.
|l ger
520 _ _ |a Ongoing growth of cloud computing and streaming is creating significant challenges for interconnect systems in data centers and high performance computing systems mainly in terms of data-rate, power consumption, size and cost. Maturing silicon photonics (SiP) technology allowing mass production of integrated photonic devices at a competitive cost due to the utilization of existing CMOS infrastructure, and enabling high integration of optical devices such as modulators at the wafer scale is expected to be particularly competitive to service an emerging need for ex-tended reach high-speed data center interconnects. Tremendous efforts have been made in the past decade to maximize the speed and reduce the power consumption of SiP modulators. In this thesis, we are going to address some of the challenges of SiP modulators: Full suppression of crosstalk and bandwidth improvement in travel-ling wave modulators, as well as reduction of fabrication sensitivity of silicon ring resonator modulators. We also introduce lumped element meandered modulators with improved power consumption while maintaining high optical bandwidth. Furthermore, a novel vertical phase shifter structure based on epitaxially grown silicon layer stack is introduced, designed, fabricated and characterized. The proposed ver-tical phase shifter exhibits one of the highest reported modulation efficiencies among silicon depletion based modulators. Finally, we explore alternative modulation mechanisms which can be realized in SOI platform by integration of novel material. In particular, we investigate the electro-optic (Pockels) effect in nitride cladded strained silicon Mach-Zehnder interferometers, Franz-Keldysh effect in germanium tin grown on germanium virtual substrate for mid-infrared applications, as well as Moss-Burstein effect in graphene-silicon slot waveguide absorption modulators.
|l eng
588 _ _ |a Dataset connected to Lobid/HBZ
591 _ _ |a Germany
653 _ 7 |a integrated optics
653 _ 7 |a modulators
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653 _ 7 |a telecommunication
700 1 _ |0 P:(DE-82)IDM01559
|a Witzens, Jeremy
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|u rwth
700 1 _ |a Vivien, Laurent
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Marc 21