000783493 001__ 783493 000783493 005__ 20241029133305.0 000783493 0247_ $$2datacite_doi$$a10.18154/RWTH-2020-02534 000783493 037__ $$aRWTH-2020-02534 000783493 041__ $$aGerman 000783493 1001_ $$0P:(DE-82)796343$$aHillebrand, Claus-D.$$b0$$urwth 000783493 245__ $$aTheorie des ballistischen Transportes heißer Elektronen in inhomogen dotierten Submicronstrukturen$$cvon Claus-D. Hillebrand$$honline, print 000783493 246_3 $$aTheory of the ballistic transport of hot electrons in inhomogeneously doped submicron structures$$yEnglish 000783493 260__ $$c1989 000783493 260__ $$aAachen$$c2020 000783493 3367_ $$02$$2EndNote$$aThesis 000783493 3367_ $$0PUB:(DE-HGF)10$$2PUB:(DE-HGF)$$aDiploma Thesis$$bdiploma$$mdiploma 000783493 3367_ $$2BibTeX$$aMASTERSTHESIS 000783493 3367_ $$2DRIVER$$amasterThesis 000783493 3367_ $$2DataCite$$aOutput Types/Supervised Student Publication 000783493 3367_ $$2ORCID$$aSUPERVISED_STUDENT_PUBLICATION 000783493 502__ $$aDiplomarbeit, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 1989$$bDiplomarbeit$$cRheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen$$d1989$$gFak00 000783493 500__ $$aTag der mündlichen Prüfung nicht ermittelbar. - Diplomarbeit in Physik vorgelegt der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultät der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule im April 1989 angefertigt im Institut für Festkörperforschung. - Veröffentlicht auf dem Publikationsserver der RWTH Aachen University 2020 000783493 5203_ $$aDer heiße Elektronentransport in einem ballistischen Regime wird berechnet für inhomogen dotierte Submicronstrukturen [0.4 μm] in GaAS auf Grundlage der gekoppelten Boltzmanntransport- und Poissongleichungen. Für die Lösung dieses Integrodifferentialgleichungssystems wird die Momentenmethode mit 6er Gleichungshierarchie verwendet. Numerisch wird zum ersten Mal die Homotopiemethode für die Lösung diese nichtlinearen Gleichungssystem angewandt, welches uns erlaubt den dreidimensionalen Nichtgleichgewichtstransport in dieser halbleitenden Struktur zu berechnen. Ferner wird für diesen Lösungsansatz zum ersten Mal der dreidimensionale semiklassische Elektronentransport zusammen mit quantenmechnanischen Stoßoperatoren, hier akustische Elekron-Phonon - und Elektron-Störstellen Wechselwirkungen berechnet. Mit diesem Gleichungssystem wird zu dem dreidimensionalen Elektronentransport die Temperaturverlauf orthogonal zur Transportrichtung bestimmt.$$lger 000783493 520__ $$aThe hot electron transport in the ballistic regime is calculated for inhomogeneously doped sub-micron structures [0.4 μm] of GaAS, based on the coupled Boltzmann transport - and Poisson equations. We use for the solution of this integrodifferential equation system the moment method, with a six equations hiearchy. Numerically, we apply for the first time the homotopy analysis method for the solution of this nonlinear equation system which allows us to describe the strong non-equilibrium electron transport in three dimensions. Thereby, for the first time, the three dimensional semi-classical electron transport can be calculated together with quantum-mechanical collision operators, here acoustic electron-phonon as well as electron-impurities interactions. With this three-dimensional electron transport Boltzmann‘ moment equations we are able to calculate the behaviour of temperature variation orthogonal to the direction of transport.$$leng 000783493 591__ $$aGermany 000783493 653_7 $$aHalbleiterphysik 000783493 653_7 $$aInjektion heißer Ladungsträger 000783493 653_7 $$aTransistor 000783493 653_7 $$aBoltzmann‘sche Stoßzahlenansatz 000783493 653_7 $$astatistische Mechanik 000783493 653_7 $$aNichtgleichgewichtstheorie 000783493 653_7 $$adreidimensionaler Elektronentransport 000783493 653_7 $$aIII-V direkter Halbleiter mit Bandlücke 000783493 653_7 $$aHomotopietheorie 000783493 653_7 $$aasymptotische Analysis 000783493 653_7 $$aMomentengleichungen 000783493 653_7 $$aElektronen-Verteilungsfunktion 000783493 653_7 $$asemiconductor physics 000783493 653_7 $$ahot carrier injection 000783493 653_7 $$atransistors 000783493 653_7 $$anon-equilibrium statistical mechanics 000783493 653_7 $$athree dimensional electron transport 000783493 653_7 $$aIII-V direct band gap semiconductor 000783493 653_7 $$ahomotopy theory 000783493 653_7 $$aasymptotic analysis 000783493 653_7 $$amoment equations 000783493 653_7 $$asubmicron device 000783493 653_7 $$aelectron distribution function 000783493 7001_ $$0P:(DE-82)077250$$aBringer, A.$$b1$$eThesis advisor 000783493 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/783493/files/783493.pdf$$yOpenAccess 000783493 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/783493/files/783493_Einverst%C3%A4ndniserkl%C3%A4rung.pdf$$yRestricted 000783493 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/783493/files/783493_Einverst%C3%A4ndniserkl%C3%A4rung.gif?subformat=icon$$xicon$$yRestricted 000783493 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/783493/files/783493_Einverst%C3%A4ndniserkl%C3%A4rung.jpg?subformat=icon-180$$xicon-180$$yRestricted 000783493 8564_ $$uhttps://publications.rwth-aachen.de/record/783493/files/783493_Einverst%C3%A4ndniserkl%C3%A4rung.jpg?subformat=icon-700$$xicon-700$$yRestricted 000783493 909CO $$ooai:publications.rwth-aachen.de:783493$$pdnbdelivery$$popenaire$$popen_access$$pVDB$$pdriver 000783493 9141_ $$y1989 000783493 915__ $$0StatID:(DE-HGF)0510$$2StatID$$aOpenAccess 000783493 9201_ $$0I:(DE-82)hsbk000000_20140620$$khsbk000000$$lRWTH Aachen$$x0 000783493 961__ $$c2020-02-27T09:57:12.871959$$x2020-02-27T09:57:12.871959$$z2020-02-27T09:57:12.871959 000783493 980__ $$aI:(DE-82)hsbk000000_20140620 000783493 980__ $$aUNRESTRICTED 000783493 980__ $$aVDB 000783493 980__ $$adiploma 000783493 9801_ $$aFullTexts