h1

h2

h3

h4

h5
h6
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png

Nanosecond threshold switching of GeTe6 cells and their potential as selector devices

; ; ; ;

In
Applied physics letters 100(14), Seiten/Artikel-Nr.:143505

ImpressumMelville, NY : American Institute of Physics

Umfang4 S.

ISSN0003-6951

Online
DOI: 10.1063/1.3700743


Einrichtungen

  1. Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
  2. Fachgruppe Physik (130000)

Projekte

  1. Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Strukturen, Kinetik und Bauelementskalierung \u201eNanoswitches\u201c (RESIST-SCHALT-20170406) (RESIST-SCHALT-20170406)


Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000302567800073
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-84859799159

Interne Identnummern
RWTH-CONV-066887
Datensatz-ID: 191045

Beteiligte Länder
Germany

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

QR Code for this record

The record appears in these collections:
Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Mathematics and Natural Sciences (Fac.1) > Department of Physics
Public records
Publications database
130000
131110
 Record created 2013-01-28, last modified 2026-02-10
Similar records



Rate this document:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Not yet reviewed)