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Reversing the Resistivity Contrast in the Phase-Change Memory Material GeSb 2 Te 4 Using High Pressure

; ; ; ;

In
Advanced Electronic Materials 1(12),

ImpressumChichester : Wiley

ISSN2199-160X

Online
DOI: 10.1002/aelm.201500240


Einrichtungen

  1. Juniorprofessur für Theoretische Nanoelektronik (135130)
  2. JARA - HPC (080012)
  3. JARA-FIT (080009)
  4. Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
  5. Fachgruppe Physik (130000)
  6. Lehrstuhl für Theoretische Physik C und Institut für Theoretische Festkörperphysik (135510)
  7. Lehr- und Forschungsgebiet Physik und Institut für Theoretische Physik der Phasenübergänge (N.N.) (135420)


Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 621.3


Dokumenttyp
Journal Article

Format
online

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-84976619252
WOS Core Collection: WOS:000368916500011

Interne Identnummern
RWTH-2015-07581
Datensatz-ID: 565085

Beteiligte Länder
Germany, Peoples R China, USA

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Fakultät für Mathematik und Naturwissenschaften (Fak.1) > Fachgruppe Physik
Zentrale und weitere Einrichtungen
Öffentliche Einträge
135420_20140620
Publikationsdatenbank
135510
080009
130000
131110
135130
080012
 Datensatz erzeugt am 2015-12-16, letzte Änderung am 2025-11-10
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