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http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png

Selektives Wachstum von Si und SiGe mittels LPCVD im Hinblick auf vertikale MOSFET-Anwendungen



VerantwortlichkeitsangabeRogér Loo

ImpressumJülich : Forschungszentrum Jülich, Zentralbibliothek 1996

UmfangX, 172 S. : Ill., graph. Darst.

ReiheBerichte des Forschungszentrums Jülich ; 3328


Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss.


Genehmigende Fakultät
Fak00

Hauptberichter/Gutachter


Einrichtungen

  1. RWTH Aachen (hsbk000000)

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Dokumenttyp
Dissertation / PhD Thesis/Book

Format
print, online

Sprache
German

Externe Identnummern
HBZ: HT007531668

Interne Identnummern
RWTH-CONV-119365
Datensatz-ID: 57311

Beteiligte Länder
Germany

 GO

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 Record created 2013-01-28, last modified 2026-06-23
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