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Investigation of the phase change mechanism of Ge6Sn2Sb2Te11
Koch, Christine ; Dankwort, Torben ; Hansen, Anna-Lena ; Esters, Marco ; Häußler, Dietrich ; Volker, HannoRWTH* ; von Hoegen, AlexanderRWTH* ; Wuttig, MatthiasRWTH* ; Johnson, David C. ; Bensch, Wolfgang (Corresponding author) ; Kienle, Lorenz (Corresponding author)
In
Acta materialia 152, Seiten/Artikel-Nr.:278-287
2018
ImpressumAmsterdam [u.a.] : Elsevier Science
ISSN1359-6454
Online
DOI: 10.1016/j.actamat.2018.04.029
10.1016/j.actamat.2018.04.029
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
- Fachgruppe Physik (130000)
Projekte
- Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Strukturen, Kinetik und Bauelementskalierung \u201eNanoswitches\u201c (RESIST-SCHALT-20170406) (RESIST-SCHALT-20170406)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 670
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000436650600027
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85046395456
Interne Identnummern
RWTH-2018-226229
Datensatz-ID: 729164
Beteiligte Länder
Germany, USA
Lizenzstatus der Zeitschrift


; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Ebsco Academic Search ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection