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Hydrogen induced quality improvement of GaNAs layers grown by chemical beam epitaxy
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In
Journal of crystal growth 500, Seiten/Artikel-Nr.:11-14
2018
Online
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.08.008
Einrichtungen
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 540
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000443181000003
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85051105350
Interne Identnummern
RWTH-2018-227767
Datensatz-ID: 731859
Beteiligte Länder
Germany, Japan, Peoples R China
; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Ebsco Academic Search ; IF < 5 ; JCR ; NCBI Molecular Biology Database ; Nationallizenz
; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection
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