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Stable Al$_{2}$O$_{3}$ Encapsulation of MoS$_{2}$-FETs Enabled by CVD Grown h-BN
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In
Advanced electronic materials 8(9), Seiten/Artikel-Nr.:2200123
2022
First published: 29 April 2022
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2022-04924
DOI: 10.1002/aelm.202200123
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/846873/files/846873.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
- AMICA - Advanced Microelectronic Center Aachen (052600)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 621.3
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85129114101
WOS Core Collection: WOS:000788538100001
Interne Identnummern
RWTH-2022-04924
Datensatz-ID: 846873
Beteiligte Länder
Germany, Italy, Spain, Switzerland
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; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; Essential Science Indicators ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
PDF