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SFB 917 T01

Fehlermechanismus und Zuverlässigkeit von Valenzwechselspeichern (T01*)

CoordinatorProfessor Dr.-Ing. Rainer Waser
Grant period2019 - 2025
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)426866072

SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"

Note: Im Projekt wird die statistische Charakterisierung von VCM-Zellen unter Anwendungsbedin-gungen durchgeführt, um die relevanten Fehlerphänomene zu identifizieren. Simulationsstudien mit den in der letzten Zeit entwickelten KMC-, Kompakt- und Kontinuumsmodellen ergänzen die experimentellen Arbeiten. Ziel ist es, die physikalische Ursache des Bauelementfehlers durch den Vergleich der Simulati-onsergebnisse mit den experimentellen Daten aufzuklären. Schließlich werden Strategien zur Minimie-rung der Ausfallraten entwickelt. Diese Arbeit wird in Zusammenarbeit mit der Infineon Technologies AG als Industriepartner durchgeführt.
   

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Modelling the reliability of valence change mechanism devices
Aachen : RWTH Aachen University 1 Online-Ressource : Illustrationen () [10.18154/RWTH-2025-03343] = Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2025  GO OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Physics-based Modeling and Experimental Characterization of Endurance in Filamentary VCM ReRAM
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 Record created 2023-01-20, last modified 2025-04-03



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