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Flexible p-Type WSe 2 transistors with alumina Top-Gate dielectric
Phùng, Quỳnh ThịRWTH* ; Völkel, LukasRWTH* ; Piacentini, AgataRWTH* ; Esteki, ArdeshirRWTH* ; Grundmann, Annika OliviaRWTH* ; Kalisch, HolgerRWTH* ; Heuken, MichaelRWTH* ; Vescan, AndreiRWTH* ; Neumaier, Daniel ; Lemme, Max C.RWTH* ; Daus, Alwin (Corresponding author)RWTH*
In
ACS applied materials & interfaces 16(44), Seiten/Artikel-Nr.:60541-60547
2024
ImpressumWashington, DC : American Chemical Society
ISSN1944-8244
Online
DOI: 10.1021/acsami.4c13296
10.1021/acsami.4c13296
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 600
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85208040700
WOS Core Collection: WOS:001344359100001
Interne Identnummern
RWTH-2024-10793
Datensatz-ID: 996741
Beteiligte Länder
Germany
Lizenzstatus der Zeitschrift


; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Essential Science Indicators ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection