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Redox-based resistive switching memories - nanoionic mechanisms, prospects, and challenges

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In
Special Issue: Nanoionics and Nanoelectronics / Issue ed. by Joachim Maier, Klaus Kern

In
Advanced materials 21(25/26), Seiten/Artikel-Nr.:2632-2663

Konferenz/Event:Nanoionics and Nanoelectronics , online

ImpressumWeinheim : Wiley-VCH Verl.

ISSN0935-9648

Online
DOI: 10.1002/adma.200900375


Einrichtungen

  1. JARA-FIT (080009)
  2. Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)

Projekte

  1. Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Strukturen, Kinetik und Bauelementskalierung \u201eNanoswitches\u201c (RESIST-SCHALT-20170406) (RESIST-SCHALT-20170406)


Dokumenttyp
Journal Article/Contribution to a conference proceedings

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000268309100006
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-67650102619

Interne Identnummern
RWTH-CONV-013268
Datensatz-ID: 132147

Beteiligte Länder
Germany

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

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Document types > Events > Contributions to a conference proceedings
Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology (Fac.6)
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080009
611610
 Record created 2013-01-28, last modified 2025-06-21
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