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A Review on Disorder-Driven Metal-Insulator Transition in Crystalline Vacancy-Rich GeSbTe Phase-Change Materials
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In
Special Issue "Metal-Insulator Transition" / Guest Editor: Dr. Horng-Tay Jeng, Department of Physics, National Tsing-Hua University, Taiwan
In
Materials 10(8), Seiten/Artikel-Nr.:862
2017
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2017-08689
DOI: 10.3390/ma10080862
URL: http://publications.rwth-aachen.de/record/706497/files/706497.pdf
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Computerbasierte Festkörpertheorie (135420)
- Lehrstuhl für Theoretische Physik C und Institut für Theoretische Festkörperphysik (135510)
- JARA-FIT (080009)
- JARA - HPC (080012)
- Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
- Fachgruppe Physik (130000)
Projekte
- OA - Open Access Publikation mit Unterstützung der Universitätsbibliothek der RWTH Aachen University (X021000-OA)
- Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Strukturen, Kinetik und Bauelementskalierung \u201eNanoswitches\u201c (RESIST-SCHALT-20170406) (RESIST-SCHALT-20170406)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 600
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article/Contribution to a book
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85026426303
WOS Core Collection: WOS:000408731600016
Interne Identnummern
RWTH-2017-08689
Datensatz-ID: 706497
Beteiligte Länder
Germany, Peoples R China
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; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; DOAJ Seal ; Ebsco Academic Search ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection
PDF