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Collective Structural Relaxation in Phase-Change Memory Devices

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In
Advanced electronic materials 4(9), Seiten/Artikel-Nr.:1700627

ImpressumChichester : Wiley

ISSN2199-160X

Online
DOI: 10.1002/aelm.201700627

DOI: 10.18154/RWTH-2018-228395
URL: http://publications.rwth-aachen.de/record/739990/files/739990.pdf
URL: http://publications.rwth-aachen.de/record/739990/files/739990.pdf?subformat=pdfa

Einrichtungen

  1. Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
  2. Fachgruppe Physik (130000)

Projekte

  1. Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Strukturen, Kinetik und Bauelementskalierung \u201eNanoswitches\u201c (RESIST-SCHALT-20170406) (RESIST-SCHALT-20170406)

Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 621.3

OpenAccess:
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Dokumenttyp
Journal Article

Format
online

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000444071300002
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85050490125

Interne Identnummern
RWTH-2018-228395
Datensatz-ID: 739990

Beteiligte Länder
Germany, Switzerland

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs CC BY-NC-ND 4.0 ; OpenAccess ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; IF < 5 ; JCR ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection
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Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Mathematics and Natural Sciences (Fac.1) > Department of Physics
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Public records
Publications database
130000
131110
 Record created 2018-09-25, last modified 2023-05-05
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