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GaN Micropillar Schottky Diodes with High Breakdown Voltage Fabricated by Selective‐Area Growth
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In
Special Issue: Nitride Semiconductors / Issue Edited by: F. Shadi Shahedipour-Sandvik Fareed Qhalid
In
Physica status solidi / A 217(7), Seiten/Artikel-Nr.:1900676
2020 & 2019
First published: 06 October 2019
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2019-10096
DOI: 10.1002/pssa.201900676
URL: http://publications.rwth-aachen.de/record/771347/files/771347.pdf
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)
- Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
- Fachgruppe Physik (130000)
Projekte
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 530
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article/Contribution to a book
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85074344569
WOS Core Collection: WOS:000491108100001
Interne Identnummern
RWTH-2019-10096
Datensatz-ID: 771347
Beteiligte Länder
Germany
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; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF < 5 ; IF < 5 ; JCR ; Nationallizenz
; Nationallizenz ; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
PDF