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Volatile mos2 memristors with lateral silver ion migration for artificial neuron applications

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In
Small science 5(5), Seiten/Artikel-Nr.:2570023

ImpressumWeinheim : Wiley-VCH GmbH

ISSN2688-4046

Online
DOI: 10.1002/smsc.202570023


Einrichtungen

  1. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
  2. Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)
  3. Gemeinschaftslabor für Elektronenmikroskopie (025000)


Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 500


Dokumenttyp
Journal Article (Frontcover/Backcover)

Format
online

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Interne Identnummern
RWTH-2026-02429
Datensatz-ID: 1029595

Beteiligte Länder
Germany, Spain

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

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Volatile mos2 memristors with lateral silver ion migration for artificial neuron applications
Small science 5(5), 2400523 () [10.1002/smsc.202400523]  GO OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Faculty of Electrical Engineering and Information Technology (Fac.6)
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Public records
Publications database
618710
612020
025000
 Record created 2026-02-27, last modified 2026-03-11
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