Gast ::
Silicon nitride PIC-based ECL at 637nm with flip-chip-bonded RSOA
; ; ; ; ; ; ;
In
Semiconductor Lasers and Laser Dynamics XII : 12–14 April 2026, Strasbourg, France / Marc Sciamanna, Fan-Yi Lin, Jesper Mørk Editors
2026
Online
DOI: 10.1117/12.3100079
Einrichtungen
Inhaltliche Beschreibung (Schlagwörter)
Diodenlaser mit erweitertem Resonator (ECDL) (frei) ; Extended Cavity Diode Laser (ECDL) (frei) ; Photonik im sichtbaren Wellenlängenbereich (frei) ; Photonische integrierte Schaltungen aus Siliziumnitrid (frei) ; Silicon Nitride Photonic Integrated Circuits (frei) ; Visible Wavelength Photonics (frei)
Dokumenttyp
Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer review status of article unknown
Externe Identnummern
OpenAlex: W7162655474
WOS Core Collection: WOS:001839859700007
Interne Identnummern
RWTH-2026-05779
Datensatz-ID: 1036996
Beteiligte Länder
Germany
|
The record appears in these collections: |