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Effects of irradiation on the noise and DC-performance of transistors and preamplifiers based on GaAs technology

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In
Nuclear physics / B. Proceedings supplements 44(suppl.), Seiten/Artikel-Nr.:536-536

ImpressumAmsterdam : Elsevier

ISSN0920-5632

Einrichtungen

  1. Lehrstuhl für Experimentalphysik I B und I. Physikalisches Institut (131410)
  2. Lehrstuhl für Experimentalphysik I C und I. Physikalisches Institut (hsbk010046)
  3. Fachgruppe Physik (130000)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Interne Identnummern
RWTH-CONV-017015
Datensatz-ID: 136168

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

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Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Fakultät für Mathematik und Naturwissenschaften (Fak.1) > Fachgruppe Physik
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Publikationsdatenbank
131410
130000
 Datensatz erzeugt am 2013-01-28, letzte Änderung am 2017-06-24
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