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http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png

Current Saturation and Voltage Gain in Bilayer Graphene Field Effect Transistors

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In
Nano letters 12(3), Seiten/Artikel-Nr.:1324-1328

ImpressumWashington, DC : ACS Publ.

ISSN1530-6984

Online
DOI: 10.1021/nl2038634


Einrichtungen

  1. Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik (616210)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:000301406800035
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-84858233159

Interne Identnummern
RWTH-CONV-060208
Datensatz-ID: 183643

Beteiligte Länder
Germany, Italy

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO


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The record appears in these collections:
Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology (Fac.6)
Public records
Publications database
616210

 Record created 2013-01-28, last modified 2019-12-23



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