h1

h2

h3

h4

h5
h6
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png

SET kinetics and I-V characteristics of VCM-based ReRAM cells at high temperatures using a nanometer-sized heater

; ; ; ; ; ; ; ; ; ;

Konferenz/Event:7. International Workshop on Resistive Switching Memories , Leuven , Belgium , 2017-09-07 - 2017-09-08

ImpressumLeuven

Projekte

  1. SFB 917- B01 - Schnelle transiente, elektrische Analyse von resistiven Schaltphänomenen (B01) (DFG-SFB917) (DFG-SFB917)
  2. DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)


Dokumenttyp
Poster

Herkunft
Public Reference

Sprache
English

Interne Identnummern
RWTH-2017-08126
Datensatz-ID: 699179

Beteiligte Länder
Germany

 GO

Related:

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Poster  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;  ;
SET kinetics and I-V characteristics of VCM-based ReRAM cells at high temperatures using a nanometer-sized heater
17. Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2017, AachenAachen, Germany, 30 Aug 2017 - 1 Sep 20172017-08-302017-09-01 Aachen ()  GO BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

QR Code for this record

The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Poster
Öffentliche Einträge
Public Reference
611610
 Datensatz erzeugt am 2017-09-12, letzte Änderung am 2026-03-04
Ähnliche Datensätze



Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)