Gast ::
Disorder-Induced Localization in Crystalline Pseudo-Binary GeTe–Sb2Te3 Alloys between Ge3Sb2Te6 and GeTe
; ; ; ; ; ; ; ; ; ;
In
Special Issue: Resistively Switching Chalcogenides
In
Advanced functional materials 25(40), Seiten/Artikel-Nr.:6399-6406
2015
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2016-00738
DOI: 10.1002/adfm.201500848
URL: http://publications.rwth-aachen.de/record/567275/files/567275.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
- Fachgruppe Physik (130000)
- JARA-FIT (080009)
Projekte
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 620
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article/Contribution to a book
Format
print, online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-84945487540
WOS Core Collection: WOS:000363685900011
Interne Identnummern
RWTH-2016-00738
Datensatz-ID: 567275
Beteiligte Länder
Germany
; 
; 
; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; IF >= 10 ; JCR ; NCBI Molecular Biology Database ; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection
PDF