Regrown quasi-vertical GaN-based p+-n Diode with CF4-plasma and in-situ TMGa pretreatments

Shu, Qi; Ivanov, Aleksandar; Ma, Yao; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Debald, Arne; Kirchbrücher, Arno; Vescan, Andrei

doi:WOS:001812420800001

Regrown quasi-vertical GaN-based p+-n Diode with CF4-plasma and in-situ TMGa pretreatments

Shu, Qi (Corresponding author)^RWTH* ; Ivanov, Aleksandar^RWTH* ; Ma, Yao^RWTH* ; Kirchbrücher, Arno^RWTH* ; Debald, Arne ; Heuken, Michael^RWTH* ; Kalisch, Holger^RWTH* ; Vescan, Andrei^RWTH*

In
Semiconductor science and technology 41(7), Seiten/Artikel-Nr.:075006

2026

ImpressumBristol : IOP Publ.

Umfang[1]-13

ISSN1361-6641

Online
DOI: 10.1088/1361-6641/ae8293
10.1088/1361-6641/ae8293
DOI: 10.18154/RWTH-2026-06612
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/1038595/files/1038595.pdf

Einrichtungen

Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)

Projekte

Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 620

OpenAccess:
PDF

Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:001812420800001

Interne Identnummern
RWTH-2026-06612
Datensatz-ID: 1038595

Beteiligte Länder
Germany

Lizenzstatus der Zeitschrift

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