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Defects in GaAs films grown by MOMBE

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In
Journal of crystal growth 81, Seiten/Artikel-Nr.:281-287

ImpressumAmsterdam : North-Holland Publ. Co.

ISSN0022-0248

Einrichtungen

  1. Lehr- und Forschungsgebiet Physik (131820)
  2. Lehrstuhl für Experimentalphysik (Festkörperphysik) und II. Physikalisches Institut (132110)
  3. Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik (616210)
  4. Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
  5. Fachgruppe Physik (130000)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Interne Identnummern
RWTH-CONV-049744
Datensatz-ID: 172284

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

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Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Fakultät für Mathematik und Naturwissenschaften (Fak.1) > Fachgruppe Physik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (Fak.6)
Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
131820
130000
616210
132110
 Datensatz erzeugt am 2013-01-28, letzte Änderung am 2017-06-20
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