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Properties of the two-dimensional electron gas in modulation-doped GaInAs(P)/InP structures grown by low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy
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In
Journal of applied physics 66, Seiten/Artikel-Nr.:697-703
1989
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
- Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (616210)
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Interne Identnummern
RWTH-CONV-051563
Datensatz-ID: 174319
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Record created 2013-01-28, last modified 2017-06-24