An Ag/HfO2/Pt Threshold Switching Device with an Ultra-Low Leakage (&lt; 10 fA), High On/OffRatio (&gt; 1011), and Low Threshold Voltage (&lt; 0.2 V) for Energy-Efficient Neuromorphic Computing

An Ag/HfO2/Pt Threshold Switching Device with an Ultra-Low Leakage (< 10 fA), High On/OffRatio (> 1011), and Low Threshold Voltage (< 0.2 V) for Energy-Efficient Neuromorphic Computing

In
2021 IEEE International Memory Workshop (IMW) : proceedings : 16-19 May 2021 / International Memory Workshop ; IEEE, Seiten/Artikel-Nr: 115-118

2021

Konferenz/Event:2021 IEEE International Memory Workshop (IMW) , Dresden , Germany , IMW 2021 , 2021-05-16 - 2021-05-19

ImpressumPiscataway, NJ : IEEE

Umfang115-118

ISBN978-1-7281-8517-0, 978-1-7281-8518-7

Online
DOI: 10.1109/IMW51353.2021.9439601
10.1109/IMW51353.2021.9439601

Einrichtungen

Dokumenttyp
Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings

Format
online

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85107671290
WOS Core Collection: WOS:000681328500030
OpenAlex: W3169213567

Interne Identnummern
RWTH-2021-07895
Datensatz-ID: 824864

Beteiligte Länder
Germany

Datensatz erzeugt am 2021-08-16, letzte Änderung am 2026-09-10

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