h1

h2

h3

h4

h5
h6
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png

Infrared spectroscopy of oxide layers on technical Si wafers

; ; ;

In
Applied physics / A, Materials science & processing 39(4), Seiten/Artikel-Nr.:257-268

ImpressumBerlin [u. a.] : Springer

ISSN0340-3793

Online
DOI: 10.1007/BF00617270


Einrichtungen

  1. Fachgruppe Physik (130000)
  2. Lehr - und Forschungsgebiet Hochenergiephysik (131520)
  3. Lehr - und Forschungsgebiete Physik (ama14)
  4. Lehrstuhl für Experimentalphysik I B und I. Physikalisches Institut (131410)
  5. Lehrstuhl für Experimentalphysik I C und I. Physikalisches Institut (hsbk010046)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
INSPEC: 2680242
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-0022699270
WOS Core Collection: WOS:A1986A518300004

Interne Identnummern
RWTH-CONV-051095
Datensatz-ID: 173816

Beteiligte Länder
Germany

Lizenzstatus der Zeitschrift

 GO

QR Code for this record

The record appears in these collections:
Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Mathematics and Natural Sciences (Fac.1) > Department of Physics
Public records
Publications database
131520
131410
130000
 Record created 2013-01-28, last modified 2021-12-28
Similar records



Rate this document:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Not yet reviewed)