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Process induced radiation damage in MOS structures
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In
Microelectronic engineering 9, Seiten/Artikel-Nr.:611-614
1989
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
- Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (616210)
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Interne Identnummern
RWTH-CONV-051559
Datensatz-ID: 174315
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Record created 2013-01-28, last modified 2017-06-24