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Growth of GaAs and InP on Si using plasma stimulated MOCVD

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In
Journal of crystal growth 96, Seiten/Artikel-Nr.:483-489

ImpressumAmsterdam : North-Holland Publ. Co.

ISSN0022-0248

Einrichtungen

  1. Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
  2. Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (616210)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Interne Identnummern
RWTH-CONV-051562
Datensatz-ID: 174318

 GO

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Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (Fak.6)
Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
616210
 Datensatz erzeugt am 2013-01-28, letzte Änderung am 2017-06-24
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