http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Structural and electronic transitions in Ge2Sb2Te5 induced by ion irradiation damage
Privitera, S. M. S. ; Mio, A. M. (Corresponding author) ; Smecca, E. ; Alberti, A. ; Zhang, W. ; Mazzarello, RiccardoRWTH* ; Benke, Julia ; Persch, Christoph WernerRWTH* ; La Via, F. ; Rimini, E.
In
Physical review / B 94(9), Seiten/Artikel-Nr.:094103
2016
ImpressumWoodbury, NY : The American Institute of Physics
Umfang1-8
ISSN2469-9950
Online
DOI: 10.1103/PhysRevB.94.094103
10.1103/PhysRevB.94.094103
Einrichtungen
- Fachgruppe Physik (130000)
- JARA - HPC (080012)
- JARA-FIT (080009)
- Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut (131110)
- Lehrstuhl für Theoretische Physik C und Institut für Theoretische Festkörperphysik (135510)
- Lehr- und Forschungsgebiet Computerbasierte Festkörpertheorie (135420)
- Juniorprofessur für Theoretische Nanoelektronik (135130)
Projekte
- DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 530
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-84990946211
WOS Core Collection: WOS:000382718900002
Interne Identnummern
RWTH-2016-08101
Datensatz-ID: 672510
Beteiligte Länder
Germany, Italy, Peoples R China
Lizenzstatus der Zeitschrift

; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Ebsco Academic Search ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Thomson Reuters Master Journal List ; Web of Science Core Collection