guest ::
MoS2 /graphene Lateral Heterostructure Field Effect Transistors
; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ;
In
2021 Device Research Conference (DRC) : 20-23 June 2021, Seiten/Artikel-Nr: 2 Seiten
2021 & 2022
Konferenzort: Santa Barbara, CA, USA. - Zweitveröffentlicht auf dem Publikationsserver der RWTH Aachen University 2022
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2021-08097
DOI: 10.1109/DRC52342.2021.9467156
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/825160/files/825160.pdf
Einrichtungen
Projekte
- QUEFORMAL - Quantum Engineering for Machine Learning (829035) (829035)
- GrapheneCore3 - Graphene Flagship Core Project 3 (881603) (881603)
- BMBF-16ES1134 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC - (BMBF-16ES1134) (BMBF-16ES1134)
- ULTIMOS2 - Ultimatives Skalierungs- und Leistungspotential von MoS2 Feldeffekttransistoren (412113712) (412113712)
- Scalable MoS2 based flexible devices and circuits for wireless communications / Skalierbare MoS2-basierte flexible Bauelemente und Schaltkreise für drahtlose Kommunikation (407080863) (407080863)
- DFG project 255449811 - SPP 1796: High Frequency Flexible Bendable Electronics for Wireless Communication Systems (FFLexCom) (255449811) (255449811)
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85113826520
Interne Identnummern
RWTH-2021-08097
Datensatz-ID: 825160
Beteiligte Länder
Germany, Italy, Spain, Switzerland
PDF