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Low Hysteresis MoS2-FET Enabled by CVD-Grown h-BN Encapsulation
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In
2021 Device Research Conference (DRC) : 20-23 June 2021, Seiten/Artikel-Nr: 2 Seiten
2021 & 2022
Konferenzort: Santa Barbara, CA, USA. - Zweitveröffentlicht auf dem Publikationsserver der RWTH Aachen University 2022
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2021-08099
DOI: 10.1109/DRC52342.2021.9467236
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/825162/files/825162.pdf
Einrichtungen
Projekte
- GrapheneCore2 - Graphene Flagship Core Project 2 (785219) (785219)
- QUEFORMAL - Quantum Engineering for Machine Learning (829035) (829035)
- ORIGENAL - Origami electronics for three dimensional integration of computational devices (863258) (863258)
- BMBF-16ES1134 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC - (BMBF-16ES1134) (BMBF-16ES1134)
- Scalable MoS2 based flexible devices and circuits for wireless communications / Skalierbare MoS2-basierte flexible Bauelemente und Schaltkreise für drahtlose Kommunikation (407080863) (407080863)
- DFG project 255449811 - SPP 1796: High Frequency Flexible Bendable Electronics for Wireless Communication Systems (FFLexCom) (255449811) (255449811)
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85113897923
Interne Identnummern
RWTH-2021-08099
Datensatz-ID: 825162
Beteiligte Länder
Germany, Switzerland
PDF