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Optimization of self-rectifying analog memristors by insertion of an interfacial layer

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In
Applied physics letters 125(8), Seiten/Artikel-Nr.:083509

ImpressumMelville, NY : American Inst. of Physics

Umfang1-7

ISSN1077-3118

Online
DOI: 10.1063/5.0213396


Einrichtungen

  1. Lehr- und Forschungsgebiet Virtuelle Realität und Immersive Visualisierung (124620)
  2. Lehrstuhl für Hochleistungsrechnen (Informatik 12) (123010)
  3. Fachgruppe Informatik (120000)
  4. Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)


Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 530


Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85201896764
WOS Core Collection: WOS:001297358200001

Interne Identnummern
RWTH-2024-08362
Datensatz-ID: 992696

Beteiligte Länder
Germany

 GO

Medline ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF < 5 ; JCR ; National-Konsortium ; PubMed Central ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
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Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology (Fac.6)
Faculty of Computer Science (Fac.9)
Public records
Publications database
120000
123010
124620
611610
 Record created 2024-09-09, last modified 2025-10-01
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