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Enhanced Threshold Switching Devices Based on Conductive Filaments in SiOx Through Vertically Aligned MoS2 Layers
Lee, Jimin ; Cruces, Sofía ; Braun, Dennis ; Völkel, LukasRWTH* ; Ran, Ke ; Mayer, JoachimRWTH* ; Daus, Alwin ; Lemme, Max C.RWTH*
In
Shaping the future with innovations in devices and manufacturing : the 9th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2025) : Hong Kong, China, 9-12 March 2025 / EDTM - Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2025 ; organized by: IEEE, Electron Devices Society
2025
Konferenz/Event:9. IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference
, Hong Kong , Hong Kong , EDTM 2025 , 2025-03-09 - 2025-03-12
Impressum[Piscataway, NJ] : IEEE
ISBN979-8-3315-0416-8, 979-8-3315-0417-5, 9798331504168, 9798331504175
Online
DOI: 10.1109/EDTM61175.2025.11041161
10.1109/EDTM61175.2025.11041161
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
- Gemeinschaftslabor für Elektronenmikroskopie (025000)
Projekte
- BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF 16ME0400 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (16ME0400) (16ME0400)
- BMBF 03ZU1106AA - NeuroSys: Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - A (03ZU1106AA) (03ZU1106AA)
- ENERGIZE - Energy-efficient Neuromorphic 2D Devices and Circuits for Edge AI Computing (101194458) (101194458)
Dokumenttyp
Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-105010822246
WOS Core Collection: WOS:001540468800166
Interne Identnummern
RWTH-2025-09407
Datensatz-ID: 1021029
Beteiligte Länder
Germany
