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Interface states and impurities in MOS structures with very thin tunneling barriers

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In
Applied surface science 30(1/4), Seiten/Artikel-Nr.:304-310

ImpressumAmsterdam [u.a.] : Elsevier

ISSN0169-4332

Online
DOI: 10.1016/0169-4332(87)90105-X


Einrichtungen

  1. Lehr- und Forschungsgebiet Physik (131820)
  2. Lehrstuhl für Experimentalphysik (Festkörperphysik) und II. Physikalisches Institut (132110)
  3. Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik (616210)
  4. Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
  5. Fachgruppe Physik (130000)



Dokumenttyp
Journal Article

Format
online, print

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
WOS Core Collection: WOS:A1987K655900040
INSPEC: 3063228
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-0023438909

Interne Identnummern
RWTH-CONV-049753
Datensatz-ID: 172293

Beteiligte Länder
Germany

 GO

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Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Fakultät für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften (Fak.1) > Fachgruppe Physik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (Fak.6)
Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
131820
130000
616210
132110
 Datensatz erzeugt am 2013-01-28, letzte Änderung am 2021-11-16
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