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HRS Instability in Oxide-Based Bipolar Resistive Switching Cells
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In
IEEE transactions on electron devices : ED 67(10), Seiten/Artikel-Nr.:4208-4215
2020
Online
DOI: 10.1109/TED.2020.3018096
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/801724/files/801724.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)
- JARA-FIT (080009)
Inhaltliche Beschreibung (Schlagwörter)
valence change-based memory (VCM) (frei)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 620
Restricted: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85092083370
WOS Core Collection: WOS:000572635400044
Interne Identnummern
RWTH-2020-09043
Datensatz-ID: 801724
Beteiligte Länder
Germany
; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF < 5 ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index ; Science Citation Index Expanded ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
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