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Trade-Off Between Data Retention and Switching Speed in Resistive Switching ReRAM Devices
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In
Advanced electronic materials 7(1), Seiten/Artikel-Nr.:2000815
2020 & 2020
First published: 30 November 2020
Online
DOI: 10.18154/RWTH-2020-12365
DOI: 10.1002/aelm.202000815
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/808887/files/808887.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)
- JARA-FIT (080009)
Projekte
- SEARCh - SurfacE structure-Activity-Relationship in atomically-defined, ultrathin film perovskite Catalysts (796142) (796142)
- DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 621.3
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85096862767
WOS Core Collection: WOS:000594730200001
Interne Identnummern
RWTH-2020-12365
Datensatz-ID: 808887
Beteiligte Länder
Germany
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; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; DEAL Wiley ; Essential Science Indicators ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
Record created 2020-12-17, last modified 2023-03-10
OpenAccess:
PDF
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