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Endurance of 2 mbit based beol integrated reram
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In
IEEE access 10, Seiten/Artikel-Nr.:122696-122705
2022
Online
DOI: 10.1109/ACCESS.2022.3223657
DOI: 10.18154/RWTH-2022-10833
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/856366/files/856366.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)
- JARA-FIT (080009)
Projekte
- DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
- BMBF-16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
- BMBF-16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF-03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
Inhaltliche Beschreibung (Schlagwörter)
Endurance (frei) ; KMC (frei) ; OxRAM (frei) ; RESET Failure (frei) ; ReRAM (frei) ; Stuck at SET (frei) ; VCM (frei)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 621.3
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article (Review Article)
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85144007422
WOS Core Collection: WOS:000892894900001
Interne Identnummern
RWTH-2022-10833
Datensatz-ID: 856366
Beteiligte Länder
Germany
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; Article Processing Charges ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; DOAJ Seal ; Essential Science Indicators ; Fees ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
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