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Device Modeling for Admittance Spectroscopy of PMOSFETs at Cryogenic Temperatures

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In
IEEE transactions on electron devices : ED 71(4), Seiten/Artikel-Nr.:2322-2328

ImpressumNew York, NY : IEEE

ISSN1557-9646

Online
DOI: 10.1109/TED.2024.3361410


Einrichtungen

  1. Lehrstuhl und Institut für Theoretische Elektrotechnik (611410)
  2. Lehrstuhl für Halbleitertechnik und Institut für Halbleitertechnik (616210)


Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 620


Dokumenttyp
Journal Article

Format
online

Sprache
English

Anmerkung
Peer reviewed article

Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85187243802
WOS Core Collection: WOS:001203479800002

Interne Identnummern
RWTH-2024-03813
Datensatz-ID: 984026

Beteiligte Länder
Germany

 GO

Medline ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
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Document types > Articles > Journal Articles
Faculty of Electrical Engineering and Information Technology (Fac.6)
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616210
611410
 Record created 2024-04-05, last modified 2025-03-07
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