Gast ::
Epilayers with extremely low dislocation densities grown by isoelectronic doping of hydride VPE grown InP
; ;
In
Journal of crystal growth 96(4), Seiten/Artikel-Nr.:982-984
1989
Online
DOI: 10.1016/0022-0248(89)90660-X
Einrichtungen
- Lehr- und Forschungsgebiet Halbleitertechnologie (ama216)
- Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (616210)
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online, print
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
INSPEC: 3527807
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-0024715918
WOS Core Collection: WOS:A1989AM75600031
Interne Identnummern
RWTH-CONV-051564
Datensatz-ID: 174320
Beteiligte Länder
Germany
|
The record appears in these collections: |
Datensatz erzeugt am 2013-01-28, letzte Änderung am 2024-09-22