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Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators
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In
npj 2D materials and applications 8, Seiten/Artikel-Nr.:23
2024
Online
DOI: 10.1038/s41699-024-00461-0
DOI: 10.18154/RWTH-2024-11007
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/997041/files/997041.pdf
Einrichtungen
Projekte
- GIMMIK : Graphenprozessierung auf 200mm Wafern für mikroelektronische Anwendungen (BMBF-03XP0210F) (BMBF-03XP0210F)
- DFG project G:(GEPRIS)412113712 - Ultimatives Skalierungs- und Leistungspotential von MoS2 Feldeffekttransistoren ( ULTIMOS2) (412113712) (412113712)
- 2D-EPL - Graphene Flagship 2D Experimental Pilot Line (952792) (952792)
- GrapheneCore3 - Graphene Flagship Core Project 3 (881603) (881603)
- WiPLASH - Architecting More Than Moore – Wireless Plasticity for Heterogeneous Massive Computer Architectures (863337) (863337)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 670
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-85188138852
WOS Core Collection: WOS:001187766400001
Interne Identnummern
RWTH-2024-11007
Datensatz-ID: 997041
Beteiligte Länder
Austria, Germany, Peoples R China, Russia
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; Article Processing Charges ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DOAJ Seal ; Essential Science Indicators ; Fees ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
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