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Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Wafer-Scale MoS2 Memristors
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In
2025 Silicon Nanoelectronics Workshop : June 8-9, 2025, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto, Japan : workshop abstracts / AP, [the Japan Society of Applied Physics], Electron Devices Society ; general chair: Kuniyuki Kakushima (Institute of Science Tokyo), Seiten/Artikel-Nr: 80-81
2025
Online
DOI: 10.23919/SNW65111.2025.11097209
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
- Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)
Projekte
- BMBF 03ZU1106AA - NeuroSys: Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - A (03ZU1106AA) (03ZU1106AA)
- BMFTR 03ZU2106AA - NeuroSys: KI-anwendungsspezifische Technologiereifung memristiver Bauteile (Projekt A) - Teilvorhaben A (03ZU2106AA) (03ZU2106AA)
- BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
- BMBF 16ME0400 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (16ME0400) (16ME0400)
- ENERGIZE - Energy-efficient Neuromorphic 2D Devices and Circuits for Edge AI Computing (101194458) (101194458)
Dokumenttyp
Abstract/Contribution to a book/Contribution to a conference proceedings
Format
online, print
Sprache
English
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-105013621386
Interne Identnummern
RWTH-2025-09410
Datensatz-ID: 1021032
