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Intermediate Resistive State in Wafer-Scale Vertical MoS2 Memristors Through Lateral Silver Filament Growth for Artificial Synapse Applications
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In
Advanced functional materials Seiten/Artikel-Nr.:e26682
2025
First published: 30 December 2025
Online
DOI: 10.1002/adfm.202526682
DOI: 10.18154/RWTH-2026-00418
URL: https://publications.rwth-aachen.de/record/1024932/files/1024932.pdf
Einrichtungen
- Lehrstuhl für Mikrostrukturanalytik (025010)
- Gemeinschaftslabor für Elektronenmikroskopie (025000)
- Fachgruppe Physik (130000)
- JARA-FIT (080009)
- Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik II und Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (611610)
- Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (618710)
- Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter (612020)
Thematische Einordnung (Klassifikation)
DDC: 530
OpenAccess: 
PDF
Dokumenttyp
Journal Article
Format
online
Sprache
English
Anmerkung
Peer reviewed article
Externe Identnummern
SCOPUS: SCOPUS:2-s2.0-105026266104
WOS Core Collection: WOS:001651310000001
Interne Identnummern
RWTH-2026-00418
Datensatz-ID: 1024932
Beteiligte Länder
Bulgaria, Germany, Netherlands
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; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF >= 15 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection
PDF